wersja mobilna
Online: 762 Wtorek, 2018.06.19

Biznes

TS PCB Techno-Service - nowe inwestycje w park maszynowy

piątek, 23 lutego 2018 07:59

TS PCB Techno-Service rozbudował park maszynowy w zakresie produkcji obwodów drukowanych o nową rylcarkę SCM 411. Ma ona 2 ruchome ostrza służące do liniowego nacinania powierzchni obwodów drukowanych. Zasadniczym walorem maszyny jest system pomiarowy wykorzystujący wbudowaną kamerę, który umożliwia automatyczne bazowanie układu mechanicznego do obrazu obwodów. Wyeliminowano tym samym konieczność ręcznego ustawienia położenia linii rylcowania względem mozaiki. Jest to szczególnie istotne w przypadku płytek wielowarstwowych, wymagających wprowadzenia skali do wiercenia.

Ponadto oprogramowanie rylcarki pozwala zredukować odległość między dwoma nacięciami niemal do zera. SCM 411 rylcuje z prędkością do 40m/min przy zachowaniu wysokiej precyzji dopasowania linii rylcowania do obrazu obwodów. Firma kupiła też drugi tester A5Neo Ma on 8 szybko poruszających się sond pomiarowych do testowania obwodów drukowanych przy wykorzystaniu metody rezystancyjnej, pojem­nościowej i mieszanej.

W odróżnieniu od testerów klasy Ultim8 i Loc8 firmy Gardien, format produkcyjny umieszczony jest w szufladzie i testowany w orientacji poziomej. Takie rozwiązanie zapewnią zwartą i zmniejszona bryłę maszyny. Ponadto zastosowanie szybkich i jednocześnie lekkich serwomechanizmów, które w dość nietypowy sposób poruszają sondami (przypominający odnóża pajęczaków) pozwala na znacznie zmniejszenie drgań i cichą pracę.

Zastosowane nowoczesne rozwiązania sprzętowe, pozwalają na skrócenie czasu testowania.

 

Firmy w artykule

World News 24h

wtorek, 19 czerwca 2018 12:05

imec demonstrates for the first time the possibility to fabricate state-of-the-art spin-orbit torque MRAM devices on 300mm wafers using CMOS compatible processes. With an unlimited endurance (>5x1010), fast switching speed (210ps), and power consumption as low as 300pJ, the SOT-MRAM devices manufactured in a 300mm line achieve the same or better performance as lab devices. This next-generation MRAM technology targets replacement of L1/L2 SRAM cache memories in high-performance computing applications. SOT-MRAM has recently emerged as a non-volatile memory technology that promises a high endurance and low-power, sub-ns switching speed.

więcej na: www.imec-int.com