Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Asynchroniczne pamięci SRAM 4 Mb z korekcją ECC Asynchroniczne pamięci SRAM 4 Mb z korekcją ECC
Niskoprofilowa dioda prostownicza do paneli solarnych Niskoprofilowa dioda prostownicza do paneli solarnych
Specjalizowane mikrokontrolery z pamięcią Flash do samochodowych systemów mission-critical Specjalizowane mikrokontrolery z pamięcią Flash do samochodowych systemów mission-critical
Energooszczędny, miniaturowy zegar RTC o poborze prądu 240 nA Energooszczędny, miniaturowy zegar RTC o poborze prądu 240 nA
Mikrokontrolery oparte na rdzeniu ARM Cortex-M4 z wbudowanym węzłem EtherCAT Mikrokontrolery oparte na rdzeniu ARM Cortex-M4 z wbudowanym węzłem EtherCAT
Pierwsze analogowo-cyfrowe układy programowalne GreenPak w obudowach 2,0 x 1,4 x 0,55 mm Pierwsze analogowo-cyfrowe układy programowalne GreenPak w obudowach 2,0 x 1,4 x 0,55 mm
Szukasz sposobu sterowania wydajnym MOSFET-em z układu zasilanego niskim napięciem? Szukasz sposobu sterowania wydajnym MOSFET-em z układu zasilanego niskim napięciem?
Diody prostownicze 10...30 A w obudowach o grubości <1,7 mm Diody prostownicze 10...30 A w obudowach o grubości <1,7 mm
Matryce tranzystorowe DMOS FET kompatybilne z matrycami tranzystorów bipolarnych serii TD62xxxA Matryce tranzystorowe DMOS FET kompatybilne z matrycami tranzystorów bipolarnych serii TD62xxxA
Szeregowe pamięci EEPROM 2...512 Kb o dopuszczalnej temperaturze pracy +105°C Szeregowe pamięci EEPROM 2...512 Kb o dopuszczalnej temperaturze pracy +105°C
MOSFETy o dużej gęstości mocy i niezawodności pracujące w zakresie temperatur złącza do 175°C MOSFETy o dużej gęstości mocy i niezawodności pracujące w zakresie temperatur złącza do 175°C
Poczwórna dioda prostownicza 80 V/900 mA o dopuszczalnej temperaturze pracy +225°C Poczwórna dioda prostownicza 80 V/900 mA o dopuszczalnej temperaturze pracy +225°C
Szybkie, wysokonapięciowe diody Schottky\'ego 600 V/30 A o grubości poniżej 1,1 mm Szybkie, wysokonapięciowe diody Schottky\'ego 600 V/30 A o grubości poniżej 1,1 mm
Mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M4F o ultraniskim poborze mocy Mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M4F o ultraniskim poborze mocy
Pamięci SuperFlash SQI 16, 32 i 64 Mb o czasie kasowania zawartości równym 35 ms Pamięci SuperFlash SQI 16, 32 i 64 Mb o czasie kasowania zawartości równym 35 ms
3-bitowa pamięć NAND Flash o pojemności 128 GB 3-bitowa pamięć NAND Flash o pojemności 128 GB
Tranzystory SiC HEMT 650 W na pasmo 960...1215 MHz Tranzystory SiC HEMT 650 W na pasmo 960...1215 MHz
Bezpieczna pamięć SSD 64 GB z samoczynnym kasowaniem zawartości Bezpieczna pamięć SSD 64 GB z samoczynnym kasowaniem zawartości
20-woltowy MOSFET o powierzchni 1 mm² 20-woltowy MOSFET o powierzchni 1 mm²
Najszybsze na rynku diody krzemowe 150 V/10...40 A o małych stratach przy pracy impulsowej Najszybsze na rynku diody krzemowe 150 V/10...40 A o małych stratach przy pracy impulsowej
Nowe mikroprocesory aplikacyjne rodziny ApP Lite z kontrolerem Bluetooth i żyroskopem Nowe mikroprocesory aplikacyjne rodziny ApP Lite z kontrolerem Bluetooth i żyroskopem
MOSFET-y 80 i 100 V o rezystancji R<sub>DS(on)</sub> od 1 mW MOSFET-y 80 i 100 V o rezystancji RDS(on) od 1 mW
Diody prostownicze 100...600 V/10...20 A dla motoryzacji Diody prostownicze 100...600 V/10...20 A dla motoryzacji
Najmniejsze na świecie układy FPGA o wymiarach 1,4 x 1,4 mm Najmniejsze na świecie układy FPGA o wymiarach 1,4 x 1,4 mm
Zabezpieczenie przepięciowo-nadprądowe o dopuszczalnym zakresie napięć wejściowych do >200 V Zabezpieczenie przepięciowo-nadprądowe o dopuszczalnym zakresie napięć wejściowych do >200 V
Szybki detektor sygnałów w.cz. na pasmo 15 GHz i na zakres temperatur pracy do +125°C Szybki detektor sygnałów w.cz. na pasmo 15 GHz i na zakres temperatur pracy do +125°C
Nowa generacja układów FPGA SoC produkowanych w technologii 20 nm Nowa generacja układów FPGA SoC produkowanych w technologii 20 nm
25-amperowy MOSFET w obudowie o wymiarach 2 x 2 mm 25-amperowy MOSFET w obudowie o wymiarach 2 x 2 mm
Mikrokontrolery rodziny RX z 4 MB wewnętrznej pamięci Flash taktowane zegarem do 240 MHz Mikrokontrolery rodziny RX z 4 MB wewnętrznej pamięci Flash taktowane zegarem do 240 MHz
4-kanałowe przełączniki sygnałów analogowych SPST o poborze mocy poniżej 0,01 µW 4-kanałowe przełączniki sygnałów analogowych SPST o poborze mocy poniżej 0,01 µW