Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazyn
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Kontroler ekranów wielodotykowych projected-capacitive o przekątnej do 10\" Microchip Kontroler ekranów wielodotykowych projected-capacitive o przekątnej do 10\"
Oscylatory 8,0 MHz...1,5 GHz z wyjściami CMOS, LVPECL i LVDS o zawartości jitteru poniżej 0,5 ps rms Oscylatory 8,0 MHz...1,5 GHz z wyjściami CMOS, LVPECL i LVDS o zawartości jitteru poniżej 0,5 ps rms
Mostkowy sterownik silników szczotkowych DC z regulacją natężenia prądu wyjściowego Texas Instruments Mostkowy sterownik silników szczotkowych DC z regulacją natężenia prądu wyjściowego
Pierwsze mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M7 STMicroelectronics SA oddział w Polsce Pierwsze mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M7
32-bitowe mikrokontrolery dla przemysłu i aparatury medycznej 32-bitowe mikrokontrolery dla przemysłu i aparatury medycznej
Synchroniczna pamięć CMOS DDR2 SDRAM o pojemności 2 Gb Synchroniczna pamięć CMOS DDR2 SDRAM o pojemności 2 Gb
Oscylator VCO TRO1800A-LF w mniejszej obudowie o wymiarach 9,5 x 9,5 x 3,0 mm Oscylator VCO TRO1800A-LF w mniejszej obudowie o wymiarach 9,5 x 9,5 x 3,0 mm
Mikrokontrolery ARM Cortex-A7 o poborze mocy 250 mW w trybie standby Mikrokontrolery ARM Cortex-A7 o poborze mocy 250 mW w trybie standby
Mikrokontrolery Kinetis z wbudowanym transceiverem 2,4 GHz Bluetooth Smart/BLE i IEEE 802.15.4 Mikrokontrolery Kinetis z wbudowanym transceiverem 2,4 GHz Bluetooth Smart/BLE i IEEE 802.15.4
Miniaturowy MOSFET 20 V/2,9 A w obudowie o powierzchni 0,8 x 0,8 mm Miniaturowy MOSFET 20 V/2,9 A w obudowie o powierzchni 0,8 x 0,8 mm
Resetowalny bezpiecznik elektroniczny 3,6 A z wbudowanymi zabezpieczeniami Resetowalny bezpiecznik elektroniczny 3,6 A z wbudowanymi zabezpieczeniami
Tranzystory IGBT m.cz. o niskim napięciu nasycenia STMicroelectronics SA oddział w Polsce Tranzystory IGBT m.cz. o niskim napięciu nasycenia
3,3-woltowe generatory zegarowe PCIe 9FGL06 i 9FGL08 o zawartości jitteru <3 ps rms 3,3-woltowe generatory zegarowe PCIe 9FGL06 i 9FGL08 o zawartości jitteru <3 ps rms
Mikroprocesory SHARC+ARM SoC do systemów audio i przemysłowych czasu rzeczywistego Mikroprocesory SHARC+ARM SoC do systemów audio i przemysłowych czasu rzeczywistego
Moduł pomiarów inercyjnych w obudowie o wymiarach 3,3 x 3,3 x 1,0 mm Moduł pomiarów inercyjnych w obudowie o wymiarach 3,3 x 3,3 x 1,0 mm
Oscylatory 13,5...200 MHz z wyjściem różnicowym LVDS o zawartości jitteru od 200 fs Oscylatory 13,5...200 MHz z wyjściem różnicowym LVDS o zawartości jitteru od 200 fs
Oscylatory kwarcowe 32,768 kHz o stabilności od ±5 ppm do współpracy z zegarami RTC Oscylatory kwarcowe 32,768 kHz o stabilności od ±5 ppm do współpracy z zegarami RTC
3-woltowy liniowy czujnik Halla z wyjściem I²C 3-woltowy liniowy czujnik Halla z wyjściem I²C
Kontrolery sygnałowe DSC zoptymalizowane do cyfrowych układów zasilania Microchip Kontrolery sygnałowe DSC zoptymalizowane do cyfrowych układów zasilania
Pamięć nieulotna SPI nvSRAM 66 MHz w wersji o pojemności 1 Mb Pamięć nieulotna SPI nvSRAM 66 MHz w wersji o pojemności 1 Mb
Najmniejszy na rynku 650-woltowy tranzystor GaN o prądzie ciągłym drenu do 15 A Najmniejszy na rynku 650-woltowy tranzystor GaN o prądzie ciągłym drenu do 15 A
Podwójny regulator LDO w obudowie o wymiarach 1,6 x 1,2 x 0,6 mm Podwójny regulator LDO w obudowie o wymiarach 1,6 x 1,2 x 0,6 mm
Tłumiki programowalne w.cz. o bardzo dobrej liniowości i małych stratach wtrąconych Tłumiki programowalne w.cz. o bardzo dobrej liniowości i małych stratach wtrąconych
Oscylator TCXO 5...52 MHz o stabilności termicznej 0,5 ppm Oscylator TCXO 5...52 MHz o stabilności termicznej 0,5 ppm
Syntezer częstotliwości 34,375 MHz...4,4 GHz o bardzo małych szumach fazowych Syntezer częstotliwości 34,375 MHz...4,4 GHz o bardzo małych szumach fazowych
n-kanałowe MOSFETy 30 i 60 V w obudowach z obustronnym chłodzeniem n-kanałowe MOSFETy 30 i 60 V w obudowach z obustronnym chłodzeniem
5-woltowe mikrokontrolery Cortex-M0+ z kontrolerem ekranu dotykowego 5-woltowe mikrokontrolery Cortex-M0+ z kontrolerem ekranu dotykowego
Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V o małym współczynniku R<sub>DS(ON)</sub>A Infineon Technologies AG Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V o małym współczynniku RDS(ON)A
Szybki izolator do sterowania tranzystorów IGBT w układach napędowych i zasilających Szybki izolator do sterowania tranzystorów IGBT w układach napędowych i zasilających
Absorpcyjny przełącznik SPDT 9 kHz...13 GHz o krótkim czasie stabilizacji sygnału Absorpcyjny przełącznik SPDT 9 kHz...13 GHz o krótkim czasie stabilizacji sygnału