Produkcja elektroniki
PCB
Komponenty
Zasilanie
Elektromechanika
Komunikacja
Mikrokontrolery i IoT
Optoelektronika
Pomiary
Projektowanie i badania
Rynek
Firmy
Produkty
Gospodarka
Raporty
Wywiady
Technika
Opinie
Puls branży
Kalendarium
Magazyn
Strona Główna
»
Produkty
»
Podzespoły elektroniczne
»
Podzespoły półprzewodnikowe
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS
Obwody drukowane
Obudowy dla urządzeń
Urządzenia i wyposażenie produkcji
Materiały do produkcji
Narzędzia ręczne
Oprogramowanie projektowe
Laboratoria pomiarowe i badawcze
Biura inżynierskie
Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów
Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna
Aparatura energetyczna
Mierniki wielkości nieelektrycznych
Systemy pomiarowe
Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe
Podzespoły energoelektroniczne
Podzespoły elektromechaniczne
Elementy optoelektroniczne
Podzespoły pasywne
Moduły elektroniczne OEM
Źródła zasilania
Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm
Podzespoły półprzewodnikowe
n-kanałowe MOSFETy 600 V o bardzo małym ładunku regeneracyjnym
Przedwzmacniacz do współpracy z sensorami z wyjściem prądowym
Miniaturowe oscylatory TCXO/VCTCXO w ceramicznych obudowach 2,5 x 2,0 x 0,8 mm
Tranzystor MOSFET 900 V/32 A zrealizowany w technologii SiC
Wysokoprądowy MOSFET 40 V/200 A do elektroniki samochodowej
GLYN Jones GmbH & Co KG
Advanced Low Power SRAM od firmy Renesas
Seria oscylatorów OCXO 10...100 MHz kompatybilnych z wymogami Stratum 3E
Infineon Technologies AG
Przełączniki półprzewodnikowe 10...800 mΩ/0,35...7,8 A z regulowanym współczynnikiem slew-rate
Microchip
Ultraszybkie przetworniki A/C 200 MSps o 12- i 14-bitowej rozdzielczości
Energooszczędne mikrokontrolery z portem USB
Linear Technology
Wzmacniacze operacyjne 4 GHz o prądzie polaryzacji <1 pA w zakresie temperatur –40...+85°C
Linear Technology
16-bitowy przetwornik C/A 2,7 GSps o dużej czystości widmowej sygnału wyjściowego
Precyzyjny 32-bitowy przetwornik A/C do niskoczęstotliwościowych układów pomiarowych
Linear Technology
Dwukanałowy wzmacniacz operacyjny o poborze prądu 20 µA i napięciu niezrównoważenia 30 µV
32-bitowe mikrokontrolery z jednostką FPU do precyzyjnych układów napędowych
Redundantne czujniki Halla typu dual-die dla motoryzacji
Tłumiki cyfrowe w.cz. o mocy przepięć ograniczonej do <0,3 dB
Asynchroniczne pamięci SRAM 4 Mb z korekcją ECC
Niskoprofilowa dioda prostownicza do paneli solarnych
STMicroelectronics SA oddział w Polsce
Specjalizowane mikrokontrolery z pamięcią Flash do samochodowych systemów mission-critical
Energooszczędny, miniaturowy zegar RTC o poborze prądu 240 nA
Infineon Technologies AG
Mikrokontrolery oparte na rdzeniu ARM Cortex-M4 z wbudowanym węzłem EtherCAT
Pierwsze analogowo-cyfrowe układy programowalne GreenPak w obudowach 2,0 x 1,4 x 0,55 mm
Microchip
Szukasz sposobu sterowania wydajnym MOSFET-em z układu zasilanego niskim napięciem?
Diody prostownicze 10...30 A w obudowach o grubości <1,7 mm
Matryce tranzystorowe DMOS FET kompatybilne z matrycami tranzystorów bipolarnych serii TD62xxxA
STMicroelectronics SA oddział w Polsce
Szeregowe pamięci EEPROM 2...512 Kb o dopuszczalnej temperaturze pracy +105°C
MOSFETy o dużej gęstości mocy i niezawodności pracujące w zakresie temperatur złącza do 175°C
Poczwórna dioda prostownicza 80 V/900 mA o dopuszczalnej temperaturze pracy +225°C
Szybkie, wysokonapięciowe diody Schottky\'ego 600 V/30 A o grubości poniżej 1,1 mm
1
...
87
88
89
90
91
92
93
...
139