Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazyn
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M4F o ultraniskim poborze mocy Texas Instruments Mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M4F o ultraniskim poborze mocy
Pamięci SuperFlash SQI 16, 32 i 64 Mb o czasie kasowania zawartości równym 35 ms Microchip Pamięci SuperFlash SQI 16, 32 i 64 Mb o czasie kasowania zawartości równym 35 ms
3-bitowa pamięć NAND Flash o pojemności 128 GB 3-bitowa pamięć NAND Flash o pojemności 128 GB
Tranzystory SiC HEMT 650 W na pasmo 960...1215 MHz Tranzystory SiC HEMT 650 W na pasmo 960...1215 MHz
Bezpieczna pamięć SSD 64 GB z samoczynnym kasowaniem zawartości Bezpieczna pamięć SSD 64 GB z samoczynnym kasowaniem zawartości
20-woltowy MOSFET o powierzchni 1 mm² 20-woltowy MOSFET o powierzchni 1 mm²
Najszybsze na rynku diody krzemowe 150 V/10...40 A o małych stratach przy pracy impulsowej Najszybsze na rynku diody krzemowe 150 V/10...40 A o małych stratach przy pracy impulsowej
Nowe mikroprocesory aplikacyjne rodziny ApP Lite z kontrolerem Bluetooth i żyroskopem Nowe mikroprocesory aplikacyjne rodziny ApP Lite z kontrolerem Bluetooth i żyroskopem
MOSFET-y 80 i 100 V o rezystancji R<sub>DS(on)</sub> od 1 mW Infineon Technologies AG MOSFET-y 80 i 100 V o rezystancji RDS(on) od 1 mW
Diody prostownicze 100...600 V/10...20 A dla motoryzacji Diody prostownicze 100...600 V/10...20 A dla motoryzacji
Najmniejsze na świecie układy FPGA o wymiarach 1,4 x 1,4 mm Najmniejsze na świecie układy FPGA o wymiarach 1,4 x 1,4 mm
Zabezpieczenie przepięciowo-nadprądowe o dopuszczalnym zakresie napięć wejściowych do >200 V Linear Technology Zabezpieczenie przepięciowo-nadprądowe o dopuszczalnym zakresie napięć wejściowych do >200 V
Szybki detektor sygnałów w.cz. na pasmo 15 GHz i na zakres temperatur pracy do +125°C Linear Technology Szybki detektor sygnałów w.cz. na pasmo 15 GHz i na zakres temperatur pracy do +125°C
Nowa generacja układów FPGA SoC produkowanych w technologii 20 nm Nowa generacja układów FPGA SoC produkowanych w technologii 20 nm
25-amperowy MOSFET w obudowie o wymiarach 2 x 2 mm 25-amperowy MOSFET w obudowie o wymiarach 2 x 2 mm
Mikrokontrolery rodziny RX z 4 MB wewnętrznej pamięci Flash taktowane zegarem do 240 MHz Mikrokontrolery rodziny RX z 4 MB wewnętrznej pamięci Flash taktowane zegarem do 240 MHz
4-kanałowe przełączniki sygnałów analogowych SPST o poborze mocy poniżej 0,01 µW 4-kanałowe przełączniki sygnałów analogowych SPST o poborze mocy poniżej 0,01 µW
Układy zabezpieczenia ESD i kondycjonowania sygnałów dla portów HDMI 4K Ultra-HD STMicroelectronics SA oddział w Polsce Układy zabezpieczenia ESD i kondycjonowania sygnałów dla portów HDMI 4K Ultra-HD
Nowe mikrokontrolery STM32F0 Value Line z portem USB i większą pamięcią Flash STMicroelectronics SA oddział w Polsce Nowe mikrokontrolery STM32F0 Value Line z portem USB i większą pamięcią Flash
Dioda zabezpieczająca ESD o wymiarach 1,0 x 0,6 x 0,4 mm Dioda zabezpieczająca ESD o wymiarach 1,0 x 0,6 x 0,4 mm
Kontroler GestIC do systemu wykrywania gestów 3D Microchip Kontroler GestIC do systemu wykrywania gestów 3D
Energooszczędne mikrokontrolery do aplikacji współpracujących z czujnikami Energooszczędne mikrokontrolery do aplikacji współpracujących z czujnikami
Nowe wysokonapięciowe MOSFETy produkowane w technologii Gen II Super Junction Nowe wysokonapięciowe MOSFETy produkowane w technologii Gen II Super Junction
Zminiaturyzowane mostki tranzystorowe MOSFET w obudowach SO-8 Zminiaturyzowane mostki tranzystorowe MOSFET w obudowach SO-8
Tranzystory MOSFET rodziny NexFET o rekordowo małej rezystancji R<sub>DS(on)</sub> Texas Instruments Tranzystory MOSFET rodziny NexFET o rekordowo małej rezystancji RDS(on)
Niskonapięciowe pamięci szeregowe Quad I/O (SQI) o pojemnościach 4 i 8 Mb Microchip Niskonapięciowe pamięci szeregowe Quad I/O (SQI) o pojemnościach 4 i 8 Mb
Mikrokontrolery dsPIC33 linii \"EV\" o zwiększonej odporności na zaburzenia elektromagnetyczne Mikrokontrolery dsPIC33 linii \"EV\" o zwiększonej odporności na zaburzenia elektromagnetyczne
Miniaturowe tranzystory MOSFET w obudowach DFN0606 o wymiarach 0,6 x 0,6 x 0,4 mm Miniaturowe tranzystory MOSFET w obudowach DFN0606 o wymiarach 0,6 x 0,6 x 0,4 mm
Podwójne sterowniki bramek tranzystorów MOSFET w obudowach o powierzchni 3 x 3 mm Podwójne sterowniki bramek tranzystorów MOSFET w obudowach o powierzchni 3 x 3 mm
Mikrokontrolery ARM Cortex-M4F o rekordowo małym poborze mocy Mikrokontrolery ARM Cortex-M4F o rekordowo małym poborze mocy