Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

3-woltowy liniowy czujnik Halla z wyjściem I²C 3-woltowy liniowy czujnik Halla z wyjściem I²C
Kontrolery sygnałowe DSC zoptymalizowane do cyfrowych układów zasilania Kontrolery sygnałowe DSC zoptymalizowane do cyfrowych układów zasilania
Pamięć nieulotna SPI nvSRAM 66 MHz w wersji o pojemności 1 Mb Pamięć nieulotna SPI nvSRAM 66 MHz w wersji o pojemności 1 Mb
Najmniejszy na rynku 650-woltowy tranzystor GaN o prądzie ciągłym drenu do 15 A Najmniejszy na rynku 650-woltowy tranzystor GaN o prądzie ciągłym drenu do 15 A
Podwójny regulator LDO w obudowie o wymiarach 1,6 x 1,2 x 0,6 mm Podwójny regulator LDO w obudowie o wymiarach 1,6 x 1,2 x 0,6 mm
Tłumiki programowalne w.cz. o bardzo dobrej liniowości i małych stratach wtrąconych Tłumiki programowalne w.cz. o bardzo dobrej liniowości i małych stratach wtrąconych
Oscylator TCXO 5...52 MHz o stabilności termicznej 0,5 ppm Oscylator TCXO 5...52 MHz o stabilności termicznej 0,5 ppm
Syntezer częstotliwości 34,375 MHz...4,4 GHz o bardzo małych szumach fazowych Syntezer częstotliwości 34,375 MHz...4,4 GHz o bardzo małych szumach fazowych
n-kanałowe MOSFETy 30 i 60 V w obudowach z obustronnym chłodzeniem n-kanałowe MOSFETy 30 i 60 V w obudowach z obustronnym chłodzeniem
5-woltowe mikrokontrolery Cortex-M0+ z kontrolerem ekranu dotykowego 5-woltowe mikrokontrolery Cortex-M0+ z kontrolerem ekranu dotykowego
Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V o małym współczynniku R<sub>DS(ON)</sub>A Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V o małym współczynniku RDS(ON)A
Szybki izolator do sterowania tranzystorów IGBT w układach napędowych i zasilających Szybki izolator do sterowania tranzystorów IGBT w układach napędowych i zasilających
Absorpcyjny przełącznik SPDT 9 kHz...13 GHz o krótkim czasie stabilizacji sygnału Absorpcyjny przełącznik SPDT 9 kHz...13 GHz o krótkim czasie stabilizacji sygnału
n-kanałowe MOSFETy 600 V o bardzo małym ładunku regeneracyjnym n-kanałowe MOSFETy 600 V o bardzo małym ładunku regeneracyjnym
Przedwzmacniacz do współpracy z sensorami z wyjściem prądowym Przedwzmacniacz do współpracy z sensorami z wyjściem prądowym
Miniaturowe oscylatory TCXO/VCTCXO w ceramicznych obudowach 2,5 x 2,0 x 0,8 mm Miniaturowe oscylatory TCXO/VCTCXO w ceramicznych obudowach 2,5 x 2,0 x 0,8 mm
Tranzystor MOSFET 900 V/32 A zrealizowany w technologii SiC Tranzystor MOSFET 900 V/32 A zrealizowany w technologii SiC
Wysokoprądowy MOSFET 40 V/200 A do elektroniki samochodowej Wysokoprądowy MOSFET 40 V/200 A do elektroniki samochodowej
Advanced Low Power SRAM od firmy Renesas GLYN Jones GmbH & Co KG Advanced Low Power SRAM od firmy Renesas
Seria oscylatorów OCXO 10...100 MHz kompatybilnych z wymogami Stratum 3E Seria oscylatorów OCXO 10...100 MHz kompatybilnych z wymogami Stratum 3E
Przełączniki półprzewodnikowe 10...800 mΩ/0,35...7,8 A z regulowanym współczynnikiem slew-rate Przełączniki półprzewodnikowe 10...800 mΩ/0,35...7,8 A z regulowanym współczynnikiem slew-rate
Ultraszybkie przetworniki A/C 200 MSps o 12- i 14-bitowej rozdzielczości Ultraszybkie przetworniki A/C 200 MSps o 12- i 14-bitowej rozdzielczości
Energooszczędne mikrokontrolery z portem USB Energooszczędne mikrokontrolery z portem USB
Wzmacniacze operacyjne 4 GHz o prądzie polaryzacji <1 pA w zakresie temperatur –40...+85°C Wzmacniacze operacyjne 4 GHz o prądzie polaryzacji <1 pA w zakresie temperatur –40...+85°C
16-bitowy przetwornik C/A 2,7 GSps o dużej czystości widmowej sygnału wyjściowego 16-bitowy przetwornik C/A 2,7 GSps o dużej czystości widmowej sygnału wyjściowego
Precyzyjny 32-bitowy przetwornik A/C do niskoczęstotliwościowych układów pomiarowych Precyzyjny 32-bitowy przetwornik A/C do niskoczęstotliwościowych układów pomiarowych
Dwukanałowy wzmacniacz operacyjny o poborze prądu 20 µA i napięciu niezrównoważenia 30 µV Dwukanałowy wzmacniacz operacyjny o poborze prądu 20 µA i napięciu niezrównoważenia 30 µV
32-bitowe mikrokontrolery z jednostką FPU do precyzyjnych układów napędowych 32-bitowe mikrokontrolery z jednostką FPU do precyzyjnych układów napędowych
Redundantne czujniki Halla typu dual-die dla motoryzacji Redundantne czujniki Halla typu dual-die dla motoryzacji
Tłumiki cyfrowe w.cz. o mocy przepięć ograniczonej do <0,3 dB Tłumiki cyfrowe w.cz. o mocy przepięć ograniczonej do <0,3 dB