Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Wysokoprądowy MOSFET 40 V/200 A do elektroniki samochodowej Wysokoprądowy MOSFET 40 V/200 A do elektroniki samochodowej
Advanced Low Power SRAM od firmy Renesas GLYN Jones GmbH & Co KG Advanced Low Power SRAM od firmy Renesas
Seria oscylatorów OCXO 10...100 MHz kompatybilnych z wymogami Stratum 3E Seria oscylatorów OCXO 10...100 MHz kompatybilnych z wymogami Stratum 3E
Przełączniki półprzewodnikowe 10...800 mΩ/0,35...7,8 A z regulowanym współczynnikiem slew-rate Przełączniki półprzewodnikowe 10...800 mΩ/0,35...7,8 A z regulowanym współczynnikiem slew-rate
Ultraszybkie przetworniki A/C 200 MSps o 12- i 14-bitowej rozdzielczości Ultraszybkie przetworniki A/C 200 MSps o 12- i 14-bitowej rozdzielczości
Energooszczędne mikrokontrolery z portem USB Energooszczędne mikrokontrolery z portem USB
Wzmacniacze operacyjne 4 GHz o prądzie polaryzacji <1 pA w zakresie temperatur –40...+85°C Wzmacniacze operacyjne 4 GHz o prądzie polaryzacji <1 pA w zakresie temperatur –40...+85°C
16-bitowy przetwornik C/A 2,7 GSps o dużej czystości widmowej sygnału wyjściowego 16-bitowy przetwornik C/A 2,7 GSps o dużej czystości widmowej sygnału wyjściowego
Precyzyjny 32-bitowy przetwornik A/C do niskoczęstotliwościowych układów pomiarowych Precyzyjny 32-bitowy przetwornik A/C do niskoczęstotliwościowych układów pomiarowych
Dwukanałowy wzmacniacz operacyjny o poborze prądu 20 µA i napięciu niezrównoważenia 30 µV Dwukanałowy wzmacniacz operacyjny o poborze prądu 20 µA i napięciu niezrównoważenia 30 µV
32-bitowe mikrokontrolery z jednostką FPU do precyzyjnych układów napędowych 32-bitowe mikrokontrolery z jednostką FPU do precyzyjnych układów napędowych
Redundantne czujniki Halla typu dual-die dla motoryzacji Redundantne czujniki Halla typu dual-die dla motoryzacji
Tłumiki cyfrowe w.cz. o mocy przepięć ograniczonej do <0,3 dB Tłumiki cyfrowe w.cz. o mocy przepięć ograniczonej do <0,3 dB
Asynchroniczne pamięci SRAM 4 Mb z korekcją ECC Asynchroniczne pamięci SRAM 4 Mb z korekcją ECC
Niskoprofilowa dioda prostownicza do paneli solarnych Niskoprofilowa dioda prostownicza do paneli solarnych
Specjalizowane mikrokontrolery z pamięcią Flash do samochodowych systemów mission-critical Specjalizowane mikrokontrolery z pamięcią Flash do samochodowych systemów mission-critical
Energooszczędny, miniaturowy zegar RTC o poborze prądu 240 nA Energooszczędny, miniaturowy zegar RTC o poborze prądu 240 nA
Mikrokontrolery oparte na rdzeniu ARM Cortex-M4 z wbudowanym węzłem EtherCAT Mikrokontrolery oparte na rdzeniu ARM Cortex-M4 z wbudowanym węzłem EtherCAT
Pierwsze analogowo-cyfrowe układy programowalne GreenPak w obudowach 2,0 x 1,4 x 0,55 mm Pierwsze analogowo-cyfrowe układy programowalne GreenPak w obudowach 2,0 x 1,4 x 0,55 mm
Szukasz sposobu sterowania wydajnym MOSFET-em z układu zasilanego niskim napięciem? Szukasz sposobu sterowania wydajnym MOSFET-em z układu zasilanego niskim napięciem?
Diody prostownicze 10...30 A w obudowach o grubości <1,7 mm Diody prostownicze 10...30 A w obudowach o grubości <1,7 mm
Matryce tranzystorowe DMOS FET kompatybilne z matrycami tranzystorów bipolarnych serii TD62xxxA Matryce tranzystorowe DMOS FET kompatybilne z matrycami tranzystorów bipolarnych serii TD62xxxA
Szeregowe pamięci EEPROM 2...512 Kb o dopuszczalnej temperaturze pracy +105°C Szeregowe pamięci EEPROM 2...512 Kb o dopuszczalnej temperaturze pracy +105°C
MOSFETy o dużej gęstości mocy i niezawodności pracujące w zakresie temperatur złącza do 175°C MOSFETy o dużej gęstości mocy i niezawodności pracujące w zakresie temperatur złącza do 175°C
Poczwórna dioda prostownicza 80 V/900 mA o dopuszczalnej temperaturze pracy +225°C Poczwórna dioda prostownicza 80 V/900 mA o dopuszczalnej temperaturze pracy +225°C
Szybkie, wysokonapięciowe diody Schottky\'ego 600 V/30 A o grubości poniżej 1,1 mm Szybkie, wysokonapięciowe diody Schottky\'ego 600 V/30 A o grubości poniżej 1,1 mm
Mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M4F o ultraniskim poborze mocy Mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M4F o ultraniskim poborze mocy
Pamięci SuperFlash SQI 16, 32 i 64 Mb o czasie kasowania zawartości równym 35 ms Pamięci SuperFlash SQI 16, 32 i 64 Mb o czasie kasowania zawartości równym 35 ms
3-bitowa pamięć NAND Flash o pojemności 128 GB 3-bitowa pamięć NAND Flash o pojemności 128 GB
Tranzystory SiC HEMT 650 W na pasmo 960...1215 MHz Tranzystory SiC HEMT 650 W na pasmo 960...1215 MHz