Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Kontroler GestIC do systemu wykrywania gestów 3D Kontroler GestIC do systemu wykrywania gestów 3D
Energooszczędne mikrokontrolery do aplikacji współpracujących z czujnikami Energooszczędne mikrokontrolery do aplikacji współpracujących z czujnikami
Nowe wysokonapięciowe MOSFETy produkowane w technologii Gen II Super Junction Nowe wysokonapięciowe MOSFETy produkowane w technologii Gen II Super Junction
Zminiaturyzowane mostki tranzystorowe MOSFET w obudowach SO-8 Zminiaturyzowane mostki tranzystorowe MOSFET w obudowach SO-8
Tranzystory MOSFET rodziny NexFET o rekordowo małej rezystancji R<sub>DS(on)</sub> Tranzystory MOSFET rodziny NexFET o rekordowo małej rezystancji RDS(on)
Niskonapięciowe pamięci szeregowe Quad I/O (SQI) o pojemnościach 4 i 8 Mb Niskonapięciowe pamięci szeregowe Quad I/O (SQI) o pojemnościach 4 i 8 Mb
Mikrokontrolery dsPIC33 linii \"EV\" o zwiększonej odporności na zaburzenia elektromagnetyczne Mikrokontrolery dsPIC33 linii \"EV\" o zwiększonej odporności na zaburzenia elektromagnetyczne
Miniaturowe tranzystory MOSFET w obudowach DFN0606 o wymiarach 0,6 x 0,6 x 0,4 mm Miniaturowe tranzystory MOSFET w obudowach DFN0606 o wymiarach 0,6 x 0,6 x 0,4 mm
Podwójne sterowniki bramek tranzystorów MOSFET w obudowach o powierzchni 3 x 3 mm Podwójne sterowniki bramek tranzystorów MOSFET w obudowach o powierzchni 3 x 3 mm
Mikrokontrolery ARM Cortex-M4F o rekordowo małym poborze mocy Mikrokontrolery ARM Cortex-M4F o rekordowo małym poborze mocy
10-wyjściowy syntezer częstotliwości o błędzie jitteru 86 fs rms 10-wyjściowy syntezer częstotliwości o błędzie jitteru 86 fs rms
Oscylatory kwarcowe 16 kHz...1,5 GHz o błędzie jitteru 300 fs Oscylatory kwarcowe 16 kHz...1,5 GHz o błędzie jitteru 300 fs
Nowa generacja kart SD ze zminiaturyzowanym punktem dostępowym WLAN Nowa generacja kart SD ze zminiaturyzowanym punktem dostępowym WLAN
Kontroler PWM do przetwornic DC-DC POL 0,85 V/40 A zasilających układy FPGA i SOC Kontroler PWM do przetwornic DC-DC POL 0,85 V/40 A zasilających układy FPGA i SOC
Wzmacniacz impulsowy dużej mocy do systemów kontroli lotów i radarów pogodowych Wzmacniacz impulsowy dużej mocy do systemów kontroli lotów i radarów pogodowych
Przełącznik sygnałów w.cz. SPDT True DC mogący pracować w zakresie częstotliwości od 0 Hz Przełącznik sygnałów w.cz. SPDT True DC mogący pracować w zakresie częstotliwości od 0 Hz
Uniwersalny układ zarządzania zasilaniem do urządzeń przenośnych Uniwersalny układ zarządzania zasilaniem do urządzeń przenośnych
Szerokopasmowe przełączniki SPDT mogące przełączać sygnały PCIe Gen3, USB 3.0 i SATA 3.0 Szerokopasmowe przełączniki SPDT mogące przełączać sygnały PCIe Gen3, USB 3.0 i SATA 3.0
Przetwornice DC-DC o rekordowo małych wymiarach 2,9 x 2,3 x 1,0 mm Przetwornice DC-DC o rekordowo małych wymiarach 2,9 x 2,3 x 1,0 mm
Nowe układy zasilające dla mobilnych, wielordzeniowych mikroprocesorów ARM Nowe układy zasilające dla mobilnych, wielordzeniowych mikroprocesorów ARM
Czujniki temperatury o zakresie napięć zasilania od 1,7 do 5,5 V i dokładności ±0,5°C Czujniki temperatury o zakresie napięć zasilania od 1,7 do 5,5 V i dokładności ±0,5°C
Miniaturowy 3-amperowy regulator DC-DC Buck do elektroniki samochodowej Miniaturowy 3-amperowy regulator DC-DC Buck do elektroniki samochodowej
Energooszczędne pamięci SRAM 8 Mb o dużej odporności na błędy miękkie Energooszczędne pamięci SRAM 8 Mb o dużej odporności na błędy miękkie
Moduły IGBT dla 3-poziomowych przekształtników napięcia 125...500 kW Moduły IGBT dla 3-poziomowych przekształtników napięcia 125...500 kW
Ultraszybkie tranzystory IGBT 650 V o zakresie prądów kolektora 15...90 A Ultraszybkie tranzystory IGBT 650 V o zakresie prądów kolektora 15...90 A
Specjalizowany podwójny MOSFET 25 V/25 A do przetwornic DC-DC Specjalizowany podwójny MOSFET 25 V/25 A do przetwornic DC-DC
Dwukierunkowe MOSFETy do ochrony 1- i 2-ogniwowych akumulatorów litowo-jonowych Dwukierunkowe MOSFETy do ochrony 1- i 2-ogniwowych akumulatorów litowo-jonowych
Miniaturowy przełącznik zasilania 1,5...5,5 V/6 A o wymiarach 2,1 x 1,6 x 0,58 mm Miniaturowy przełącznik zasilania 1,5...5,5 V/6 A o wymiarach 2,1 x 1,6 x 0,58 mm
Najmniejszy na rynku kontroler koncentratora USB 3.0 w obudowie BGA 6 x 6 mm Najmniejszy na rynku kontroler koncentratora USB 3.0 w obudowie BGA 6 x 6 mm
Mikrokontrolery z jednostką obliczeniową ARM Cortex-M7 na rynek motoryzacyjny i przemysłowy Mikrokontrolery z jednostką obliczeniową ARM Cortex-M7 na rynek motoryzacyjny i przemysłowy