Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

64-bitowe mikrokontrolery Renesas RZ/G2L klasy entry-level do aplikacji AI 64-bitowe mikrokontrolery Renesas RZ/G2L klasy entry-level do aplikacji AI
Nowa rodzina mikrokontrolerów z rdzeniem ARM Cortex-M do układów napędowych Nowa rodzina mikrokontrolerów z rdzeniem ARM Cortex-M do układów napędowych
Konwertery DC-DC o wydajności prądowej 0,5 A i zakresie napięcia wejściowego od 3 do 18 V Konwertery DC-DC o wydajności prądowej 0,5 A i zakresie napięcia wejściowego od 3 do 18 V
Pierwszy na rynku 60-watowy odbiornik do systemów ładowania bezprzewodowego Pierwszy na rynku 60-watowy odbiornik do systemów ładowania bezprzewodowego
Mikrokontrolery ARM Cortex-M0 z wbudowaną sekcją radiową BLE 5.0/2,4 GHz Mikrokontrolery ARM Cortex-M0 z wbudowaną sekcją radiową BLE 5.0/2,4 GHz
Pierwsze bipolarne tranzystory RET (Resistor-Equipped Transistor) o napięciu przebicia 80 V Pierwsze bipolarne tranzystory RET (Resistor-Equipped Transistor) o napięciu przebicia 80 V
Nowe pamięci EEPROM serii BR24H-5AC na zakres temperatury pracy od -40 do +125°C Nowe pamięci EEPROM serii BR24H-5AC na zakres temperatury pracy od -40 do +125°C
5-woltowy atomowy zegar rubidowy w obudowie o wymiarach 50,8 x 50,8 x 25 mm 5-woltowy atomowy zegar rubidowy w obudowie o wymiarach 50,8 x 50,8 x 25 mm
Mikrofon MEMS o małych szumach i małym poborze prądu w obudowie 4 x 3 x 1,2 mm Mikrofon MEMS o małych szumach i małym poborze prądu w obudowie 4 x 3 x 1,2 mm
Układ zabezpieczenia nadnapięciowego/zwarciowego do portów USB Type-C Układ zabezpieczenia nadnapięciowego/zwarciowego do portów USB Type-C
750-woltowe tranzystory SiC MOSFET 4. generacji o rezystancji RDS(on) od 18 mΩ 750-woltowe tranzystory SiC MOSFET 4. generacji o rezystancji RDS(on) od 18 mΩ
1-amperowy przekaźnik SSR z ogranicznikiem prądu i zabezpieczeniem termicznym 1-amperowy przekaźnik SSR z ogranicznikiem prądu i zabezpieczeniem termicznym
1-amperowy regulator LDO o małych gabarytach z wyjściem Power Good 1-amperowy regulator LDO o małych gabarytach z wyjściem Power Good
Kontroler do układów sterowania niskonapięciowych 3-fazowych silników BLDC Kontroler do układów sterowania niskonapięciowych 3-fazowych silników BLDC
Nowy wysokonapięciowy konwerter AC-DC rodziny VIPerPlus do energooszczędnych zasilaczy Nowy wysokonapięciowy konwerter AC-DC rodziny VIPerPlus do energooszczędnych zasilaczy
p-kanałowy tranzystor MOSFET o rezystancji kanału 30 mΩ z kwalifikacją AEC-Q101 p-kanałowy tranzystor MOSFET o rezystancji kanału 30 mΩ z kwalifikacją AEC-Q101
Najmniejszy na rynku układ pozyskiwania energii słonecznej Najmniejszy na rynku układ pozyskiwania energii słonecznej
Czujnik ruchu z wbudowanymi mechanizmami sztucznej inteligencji do trackerów fitness Czujnik ruchu z wbudowanymi mechanizmami sztucznej inteligencji do trackerów fitness
Pierwszy programowalny system analogowy na pojedynczym chipie Pierwszy programowalny system analogowy na pojedynczym chipie
Tranzystory SiC MOSFET o napięciu przebicia 6,5 kV Tranzystory SiC MOSFET o napięciu przebicia 6,5 kV
Wzmacniacze na pasmo 5...6 GHz o dużej mocy wyjściowej przy małych gabarytach Wzmacniacze na pasmo 5...6 GHz o dużej mocy wyjściowej przy małych gabarytach
Dioda Schottky’ego SiC 10 A/1200 V o zakresie temperatury pracy od -60 do +230°C Dioda Schottky’ego SiC 10 A/1200 V o zakresie temperatury pracy od -60 do +230°C
Tranzystory MOSFET o szerokim obszarze SOA do telekomunikacyjnych kart hot-swap Tranzystory MOSFET o szerokim obszarze SOA do telekomunikacyjnych kart hot-swap
3-amperowe konwertery DC-DC buck o małym prądzie spoczynkowym i małym poziomie zaburzeń EMI 3-amperowe konwertery DC-DC buck o małym prądzie spoczynkowym i małym poziomie zaburzeń EMI
Szybki 2-kanałowy wzmacniacz operacyjny do pracy z obciążeniem pojemnościowym Szybki 2-kanałowy wzmacniacz operacyjny do pracy z obciążeniem pojemnościowym
Dwukanałowy detektor piroelektryczny o dużych możliwościach konfiguracji Dwukanałowy detektor piroelektryczny o dużych możliwościach konfiguracji
Konwerter DC-DC step-down o zakresie napięć wejściowych od 3 do 60 V i elastycznej konfiguracji Konwerter DC-DC step-down o zakresie napięć wejściowych od 3 do 60 V i elastycznej konfiguracji
Podwójny wzmacniacz operacyjny o paśmie 50 MHz i wejściowym napięciu szumu 6,5 nV/√Hz Podwójny wzmacniacz operacyjny o paśmie 50 MHz i wejściowym napięciu szumu 6,5 nV/√Hz
Równoległa 64-megabitowa pamięć SuperFlash odporna na promieniowanie jonizujące Równoległa 64-megabitowa pamięć SuperFlash odporna na promieniowanie jonizujące
Energooszczędne mikrokontrolery ARM o poborze prądu 3 µA/MHz do urządzeń audio always-on Energooszczędne mikrokontrolery ARM o poborze prądu 3 µA/MHz do urządzeń audio always-on