MOSFET i IGBT
Z wymienionych powodów we współczesnej elektronice mocy wykorzystuje się praktycznie tylko tranzystory MOSFET i IGBT. Tranzystory bipolarne przegrywają z nimi w zakresie wymaganej mocy sterującej, która jest za duża, bo ich wzmocnienie prądowe przy dużym obciążeniu jest niewielkie.
MOSFET-y mają bardzo małe straty związanie z przewodzeniem, a więc niską rezystancję kanału w stanie włączenia dla wersji o małym napięciu znamionowym (do ok. 50 V). W elementach na wyższe napięcia, do 800 V, rezystancja kanału w stanie przewodzenia jest już niestety znacząco większa. Stąd najczęściej MOSFET-y są stosowane w obwodach niskonapięciowych, a w aplikacjach zasilanych z wyprostowanego napięcia sieci używane są jedynie w aplikacjach małej i średniej mocy wyjściowej.
Z kolei tranzystory IGBT są domeną aplikacji o wyższym napięciu zasilania, gdyż zawarty w ich strukturze tranzystor bipolarny jako element wyjściowy ma przy dużych prądach obciążenia i wysokich napięciach znamionowych lepsze parametry związane ze stratami na przewodzenie (niewielkie napięcie nasycenia).
W takim zakresie MOSFET-y mają już wyraźnie gorsze parametry, np. RDS(ON) rzędu pojedynczych omów. Dla układów dużej mocy bywa to dyskwalifikujące, natomiast bez problemu udaje się nabyć znakomite IGBT na napięcie 1–1,5 kV. Innymi słowy, w zakresie półprzewodników mocy istnieje coraz bardziej wyraźny podział aplikacyjny rynku wyznaczany przez najlepsze zakresy parametrów elementów mocy.