Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Inteligentne moduły IPM z tranzystorami IGBT RC-D2 do 3-fazowych falowników o mocy do 1,2 W Inteligentne moduły IPM z tranzystorami IGBT RC-D2 do 3-fazowych falowników o mocy do 1,2 W
Miniaturowe diody Schottky'ego, FRD i TVS do zastosowań motoryzacyjnych i przemysłowych Miniaturowe diody Schottky'ego, FRD i TVS do zastosowań motoryzacyjnych i przemysłowych
Nowe układy scalone Infineon do systemów zarządzania akumulatorami litowo-jonowymi Nowe układy scalone Infineon do systemów zarządzania akumulatorami litowo-jonowymi
Ultra-niskoprofilowe konwertery DC-DC o wydajności prądowej 12 A Ultra-niskoprofilowe konwertery DC-DC o wydajności prądowej 12 A
350-woltowy tranzystor GaN FET o 20-krotnie mniejszej powierzchni od tranzystorów krzemowych 350-woltowy tranzystor GaN FET o 20-krotnie mniejszej powierzchni od tranzystorów krzemowych
Regulator LDO o zakresie napięcia wejściowego do 60 V i prądzie spoczynkowym 2 µA Regulator LDO o zakresie napięcia wejściowego do 60 V i prądzie spoczynkowym 2 µA
Czujnik temperatury z korekcją CRC i funkcją ostrzeżenia o szybkim wzroście temperatury Czujnik temperatury z korekcją CRC i funkcją ostrzeżenia o szybkim wzroście temperatury
Nowe układy PMIC do systemów Energy Harvesting ze stałą regulacją napięcia wejściowego Nowe układy PMIC do systemów Energy Harvesting ze stałą regulacją napięcia wejściowego
Szerokopasmowe switche SP2T na pasmo do 34 GHz Szerokopasmowe switche SP2T na pasmo do 34 GHz
Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V w obudowach o wymiarach 8 x 8 x 0,9 mm Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V w obudowach o wymiarach 8 x 8 x 0,9 mm
Samochodowy wzmacniacz audio klasy G o mocy 4 x 43 W z obsługą HD Audio Samochodowy wzmacniacz audio klasy G o mocy 4 x 43 W z obsługą HD Audio
Bufory zegarowe i multipleksery zgodne ze specyfikacją PCIe Gen6 Bufory zegarowe i multipleksery zgodne ze specyfikacją PCIe Gen6
Mikrokontrolery ARM do przemysłowych i samochodowych systemów embedded Mikrokontrolery ARM do przemysłowych i samochodowych systemów embedded
Przełącznik SP4T na pasmo DC...6 GHz z wbudowanym sterownikiem pompy ładunkowej Przełącznik SP4T na pasmo DC...6 GHz z wbudowanym sterownikiem pompy ładunkowej
Pierwsza na rynku szeregowa pamięć F-RAM 2 Mb do pracy w przestrzeni kosmicznej Pierwsza na rynku szeregowa pamięć F-RAM 2 Mb do pracy w przestrzeni kosmicznej
Chipset do realizacji konwerterów LLC o dużej sprawności i małej liczbie komponentów Chipset do realizacji konwerterów LLC o dużej sprawności i małej liczbie komponentów
Układy obsługi kluczy kryptograficznych do nadajników ładowania bezprzewodowego Qi 1.3 Układy obsługi kluczy kryptograficznych do nadajników ładowania bezprzewodowego Qi 1.3
Nowe superzłączowe tranzystory MOSFET o napięciu przebicia 650 V Nowe superzłączowe tranzystory MOSFET o napięciu przebicia 650 V
Chipset do systemów komunikacyjnych na pasmo 5G NR FR2 Chipset do systemów komunikacyjnych na pasmo 5G NR FR2
Układ energy harvesting z rozszerzonymi funkcjami zarządzania mocą Układ energy harvesting z rozszerzonymi funkcjami zarządzania mocą
150-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji kanału 9 mΩ 150-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji kanału 9 mΩ
Płytki Mikroelektronika Click ze sterownikami silników krokowych firmy Toshiba Płytki Mikroelektronika Click ze sterownikami silników krokowych firmy Toshiba
Niskoprofilowy konwerter DC-DC step-down 72 W z przełączanymi pojemnościami Niskoprofilowy konwerter DC-DC step-down 72 W z przełączanymi pojemnościami
Miniaturowy 50-watowy konwerter DC-DC flyback z wewnętrznym tranzystorem GaN HEMT Miniaturowy 50-watowy konwerter DC-DC flyback z wewnętrznym tranzystorem GaN HEMT
Podwójny, precyzyjny wzmacniacz operacyjny o paśmie 20 MHz i małym napięciu offsetu Podwójny, precyzyjny wzmacniacz operacyjny o paśmie 20 MHz i małym napięciu offsetu
Programowalny bezpiecznik elektroniczny eFuse o zakresie programowania prądu od 1 do 5 A Programowalny bezpiecznik elektroniczny eFuse o zakresie programowania prądu od 1 do 5 A
Magnetorezystancyjny czujnik prędkości obrotowej i odległości do samochodowych aplikacji ADAS Magnetorezystancyjny czujnik prędkości obrotowej i odległości do samochodowych aplikacji ADAS
Quasi-rezonansowy kontroler PFC z wbudowanym przełącznikiem GaN 750 V Quasi-rezonansowy kontroler PFC z wbudowanym przełącznikiem GaN 750 V
150-woltowe tranzystory GaN HEMT o dopuszczalnym napięciu bramki 8 V 150-woltowe tranzystory GaN HEMT o dopuszczalnym napięciu bramki 8 V
60-woltowy n-kanałowy tranzystor MOSFET o rezystancji kanału 0,65 mΩ 60-woltowy n-kanałowy tranzystor MOSFET o rezystancji kanału 0,65 mΩ