Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

10-amperowy konwerter DC-DC buck o wymiarach 7,5 x 6,3 x 3,2 mm 10-amperowy konwerter DC-DC buck o wymiarach 7,5 x 6,3 x 3,2 mm
Mikrokontrolery Renesas RA z certyfikatem CAVP w zakresie obsługi algorytmów kryptograficznych Mikrokontrolery Renesas RA z certyfikatem CAVP w zakresie obsługi algorytmów kryptograficznych
Niskoszumowe konwertery DC-DC buck z układem kompensacji zewnętrznego filtra ferrytowego Niskoszumowe konwertery DC-DC buck z układem kompensacji zewnętrznego filtra ferrytowego
Superzłączowe tranzystory PrestoMOS 4. generacji z szybką diodą regeneracyjną Superzłączowe tranzystory PrestoMOS 4. generacji z szybką diodą regeneracyjną
Jednokanałowe przełączniki zasilania do układów o dużym prądzie rozruchowym Jednokanałowe przełączniki zasilania do układów o dużym prądzie rozruchowym
Energooszczędny zegar RTC w obudowie o wymiarach 1,66 x 1,26 x 0,4 mm Energooszczędny zegar RTC w obudowie o wymiarach 1,66 x 1,26 x 0,4 mm
Pierwszy na rynku 650-woltowy tranzystor MOSFET SiC w obudowie TOLL Pierwszy na rynku 650-woltowy tranzystor MOSFET SiC w obudowie TOLL
Ultraniskoszumowy regulator LDO o napięciu wyjściowym od 0,6 V do 4,0 V Ultraniskoszumowy regulator LDO o napięciu wyjściowym od 0,6 V do 4,0 V
Precyzyjne 1-watowe rezystory chipowe 39 Ω...900 kΩ o tolerancji od ±0,05% Precyzyjne 1-watowe rezystory chipowe 39 Ω...900 kΩ o tolerancji od ±0,05%
Kontroler PFC i kontroler quasi-rezonansowej przetwornicy zaporowej do systemów zasilania USB PD Kontroler PFC i kontroler quasi-rezonansowej przetwornicy zaporowej do systemów zasilania USB PD
24-bitowe przetworniki A/C SAR z technologią Easy Drive i elastycznym interfejsem Flexi-SPI 24-bitowe przetworniki A/C SAR z technologią Easy Drive i elastycznym interfejsem Flexi-SPI
Sterownik bramek tranzystorów IGBT/SiC z certyfikacją ASIL B Sterownik bramek tranzystorów IGBT/SiC z certyfikacją ASIL B
Przełączniki zasilania o prądzie wyjściowym 6 A z regulowanym czasem narastania Przełączniki zasilania o prądzie wyjściowym 6 A z regulowanym czasem narastania
Zabezpieczenia nadprądowe 12...22 A do akumulatorów litowo-jonowych Zabezpieczenia nadprądowe 12...22 A do akumulatorów litowo-jonowych
Przełącznik sygnałów w.cz. SP4T na pasmo pracy do 67 GHz Przełącznik sygnałów w.cz. SP4T na pasmo pracy do 67 GHz
Nowe rodziny 8-bitowych mikrokontrolerów PIC i AVR z inteligentnymi funkcjami peryferyjnymi Nowe rodziny 8-bitowych mikrokontrolerów PIC i AVR z inteligentnymi funkcjami peryferyjnymi
Mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M3 i wbudowanym sterownikiem silników AC i BLDC Mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M3 i wbudowanym sterownikiem silników AC i BLDC
Inteligentne moduły IPM z tranzystorami IGBT RC-D2 do 3-fazowych falowników o mocy do 1,2 W Inteligentne moduły IPM z tranzystorami IGBT RC-D2 do 3-fazowych falowników o mocy do 1,2 W
Miniaturowe diody Schottky'ego, FRD i TVS do zastosowań motoryzacyjnych i przemysłowych Miniaturowe diody Schottky'ego, FRD i TVS do zastosowań motoryzacyjnych i przemysłowych
Nowe układy scalone Infineon do systemów zarządzania akumulatorami litowo-jonowymi Nowe układy scalone Infineon do systemów zarządzania akumulatorami litowo-jonowymi
Ultra-niskoprofilowe konwertery DC-DC o wydajności prądowej 12 A Ultra-niskoprofilowe konwertery DC-DC o wydajności prądowej 12 A
350-woltowy tranzystor GaN FET o 20-krotnie mniejszej powierzchni od tranzystorów krzemowych 350-woltowy tranzystor GaN FET o 20-krotnie mniejszej powierzchni od tranzystorów krzemowych
Regulator LDO o zakresie napięcia wejściowego do 60 V i prądzie spoczynkowym 2 µA Regulator LDO o zakresie napięcia wejściowego do 60 V i prądzie spoczynkowym 2 µA
Czujnik temperatury z korekcją CRC i funkcją ostrzeżenia o szybkim wzroście temperatury Czujnik temperatury z korekcją CRC i funkcją ostrzeżenia o szybkim wzroście temperatury
Nowe układy PMIC do systemów Energy Harvesting ze stałą regulacją napięcia wejściowego Nowe układy PMIC do systemów Energy Harvesting ze stałą regulacją napięcia wejściowego
Szerokopasmowe switche SP2T na pasmo do 34 GHz Szerokopasmowe switche SP2T na pasmo do 34 GHz
Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V w obudowach o wymiarach 8 x 8 x 0,9 mm Superzłączowe tranzystory MOSFET 600 V w obudowach o wymiarach 8 x 8 x 0,9 mm
Samochodowy wzmacniacz audio klasy G o mocy 4 x 43 W z obsługą HD Audio Samochodowy wzmacniacz audio klasy G o mocy 4 x 43 W z obsługą HD Audio
Bufory zegarowe i multipleksery zgodne ze specyfikacją PCIe Gen6 Bufory zegarowe i multipleksery zgodne ze specyfikacją PCIe Gen6
Mikrokontrolery ARM do przemysłowych i samochodowych systemów embedded Mikrokontrolery ARM do przemysłowych i samochodowych systemów embedded