Produkcja elektroniki
PCB
Komponenty
Zasilanie
Elektromechanika
Komunikacja
Mikrokontrolery i IoT
Optoelektronika
Pomiary
Projektowanie i badania
Rynek
Firmy
Produkty
Gospodarka
Raporty
Wywiady
Technika
Opinie
Puls branży
Kalendarium
Magazyn
Strona Główna
»
Produkty
»
Podzespoły elektroniczne
»
Podzespoły półprzewodnikowe
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS
Obwody drukowane
Obudowy dla urządzeń
Urządzenia i wyposażenie produkcji
Materiały do produkcji
Narzędzia ręczne
Oprogramowanie projektowe
Laboratoria pomiarowe i badawcze
Biura inżynierskie
Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów
Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna
Aparatura energetyczna
Mierniki wielkości nieelektrycznych
Systemy pomiarowe
Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe
Podzespoły energoelektroniczne
Podzespoły elektromechaniczne
Elementy optoelektroniczne
Podzespoły pasywne
Moduły elektroniczne OEM
Źródła zasilania
Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm
Podzespoły półprzewodnikowe
Magnetorezystancyjny czujnik prędkości obrotowej i odległości do samochodowych aplikacji ADAS
Quasi-rezonansowy kontroler PFC z wbudowanym przełącznikiem GaN 750 V
150-woltowe tranzystory GaN HEMT o dopuszczalnym napięciu bramki 8 V
Vishay Intertechnology, Inc.
60-woltowy n-kanałowy tranzystor MOSFET o rezystancji kanału 0,65 mΩ
Miniaturowe diody Zenera o maksymalnym prądzie wstecznym 50 µA
Toshiba Corporation
Przełączniki zasilania o poborze prądu 0,08 nA w stanie spoczynkowym
Microchip
Tranzystor SiC MOSFET o napięciu przebicia 3,3 kV i rezystancji RDS(on) równej 25 mΩ
Małostratne tranzystory CoolSiC MOSFET 650 V o dużej niezawodności
750-woltowe tranzystory IGBT z kwalifikacją AEC-Q101 do falowników trakcyjnych
Nowe, mniejsze sterowniki bramek EiceDRIVER 2EDN o szybszej reakcji zabezpieczenia UVLO
Matryce diodowe do ochrony przepięciowej szybkich linii danych
Projekt referencyjny samochodowego systemu ładowania bezprzewodowego w standardzie WPC Qi 1.3
Niskoszumowy regulator LDO o współczynniku PSRR równym 80 dB
Konwerter DC-DC boost o wydajności prądowej 15 A w obudowie o powierzchni 3,0 x 2,5 mm
Nowy układ SoC do samochodowych systemów ADAS i zautomatyzowanego kierowania
6-amperowy konwerter DC-DC buck z wbudowaną cewką w obudowie o wymiarach 4,0 x 3,5 x 1,4 mm
Podwójny wyłącznik elektroniczny o napięciu pracy do 65 V z zabezpieczeniem nadprądowym wyjść
Tranzystory OptiMOS 5 o dużej gęstości mocy w obudowach 2 x 2 mm
Precyzyjny układ kondycjonowania sygnału do współpracy z czujnikami bioimpedancyjnymi
32-bitowy przetwornik C/A o zakresie dynamicznym 126 dB do sprzętu audio klasy high-end
Omron Electronics Sp. z o.o.
Przekaźnik MOSFET o wymiarach 3,4 x 2,1 mm i parametrach wyjściowych 200 V/0,35 A
Półprzewodnikowy wzmacniacz mocy w.cz. o paśmie 8...11 GHz i mocy wyjściowej do 55 dBm
Miniaturowy konwerter DC-DC buck z wyjściem 0,8...3,3 V o wydajności prądowej 600 mA
Miniaturowy transil o pojemności 0,12 pF do ochrony szybkich linii sygnałowych
Niskoszumowy moduł tranzystorowy o małej rezystancji termicznej do zastosowań w falownikach
Pierwsze na rynku pamięci Flash UFS z interfejsem MIPI M-PHY v5.0
Regulator LDO o wydajności prądowej 150 mA i prądzie spoczynkowym 0,6 µA
16-bitowe mikrokontrolery z przetwornikiem A/C do zastosowań w multimetrach
600-woltowy tranzystor MOSFET o współczynniku FOM równym 2,8 Ω*nC
Półmostkowy sterownik tranzystorów MOSFET i IGBT o napięciu pracy do 600 V
1
...
23
24
25
26
27
28
29
...
139