Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazyn
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Magnetorezystancyjny czujnik prędkości obrotowej i odległości do samochodowych aplikacji ADAS Magnetorezystancyjny czujnik prędkości obrotowej i odległości do samochodowych aplikacji ADAS
Quasi-rezonansowy kontroler PFC z wbudowanym przełącznikiem GaN 750 V Quasi-rezonansowy kontroler PFC z wbudowanym przełącznikiem GaN 750 V
150-woltowe tranzystory GaN HEMT o dopuszczalnym napięciu bramki 8 V 150-woltowe tranzystory GaN HEMT o dopuszczalnym napięciu bramki 8 V
60-woltowy n-kanałowy tranzystor MOSFET o rezystancji kanału 0,65 mΩ Vishay Intertechnology, Inc. 60-woltowy n-kanałowy tranzystor MOSFET o rezystancji kanału 0,65 mΩ
Miniaturowe diody Zenera o maksymalnym prądzie wstecznym 50 µA Miniaturowe diody Zenera o maksymalnym prądzie wstecznym 50 µA
Przełączniki zasilania o poborze prądu 0,08 nA w stanie spoczynkowym Toshiba Corporation Przełączniki zasilania o poborze prądu 0,08 nA w stanie spoczynkowym
Tranzystor SiC MOSFET o napięciu przebicia 3,3 kV i rezystancji RDS(on) równej 25 mΩ Microchip Tranzystor SiC MOSFET o napięciu przebicia 3,3 kV i rezystancji RDS(on) równej 25 mΩ
Małostratne tranzystory CoolSiC MOSFET 650 V o dużej niezawodności Małostratne tranzystory CoolSiC MOSFET 650 V o dużej niezawodności
750-woltowe tranzystory IGBT z kwalifikacją AEC-Q101 do falowników trakcyjnych 750-woltowe tranzystory IGBT z kwalifikacją AEC-Q101 do falowników trakcyjnych
Nowe, mniejsze sterowniki bramek EiceDRIVER 2EDN o szybszej reakcji zabezpieczenia UVLO Nowe, mniejsze sterowniki bramek EiceDRIVER 2EDN o szybszej reakcji zabezpieczenia UVLO
Matryce diodowe do ochrony przepięciowej szybkich linii danych Matryce diodowe do ochrony przepięciowej szybkich linii danych
Projekt referencyjny samochodowego systemu ładowania bezprzewodowego w standardzie WPC Qi 1.3 Projekt referencyjny samochodowego systemu ładowania bezprzewodowego w standardzie WPC Qi 1.3
Niskoszumowy regulator LDO o współczynniku PSRR równym 80 dB Niskoszumowy regulator LDO o współczynniku PSRR równym 80 dB
Konwerter DC-DC boost o wydajności prądowej 15 A w obudowie o powierzchni 3,0 x 2,5 mm Konwerter DC-DC boost o wydajności prądowej 15 A w obudowie o powierzchni 3,0 x 2,5 mm
Nowy układ SoC do samochodowych systemów ADAS i zautomatyzowanego kierowania Nowy układ SoC do samochodowych systemów ADAS i zautomatyzowanego kierowania
6-amperowy konwerter DC-DC buck z wbudowaną cewką w obudowie o wymiarach 4,0 x 3,5 x 1,4 mm 6-amperowy konwerter DC-DC buck z wbudowaną cewką w obudowie o wymiarach 4,0 x 3,5 x 1,4 mm
Podwójny wyłącznik elektroniczny o napięciu pracy do 65 V z zabezpieczeniem nadprądowym wyjść Podwójny wyłącznik elektroniczny o napięciu pracy do 65 V z zabezpieczeniem nadprądowym wyjść
Tranzystory OptiMOS 5 o dużej gęstości mocy w obudowach 2 x 2 mm Tranzystory OptiMOS 5 o dużej gęstości mocy w obudowach 2 x 2 mm
Precyzyjny układ kondycjonowania sygnału do współpracy z czujnikami bioimpedancyjnymi Precyzyjny układ kondycjonowania sygnału do współpracy z czujnikami bioimpedancyjnymi
32-bitowy przetwornik C/A o zakresie dynamicznym 126 dB do sprzętu audio klasy high-end 32-bitowy przetwornik C/A o zakresie dynamicznym 126 dB do sprzętu audio klasy high-end
Przekaźnik MOSFET o wymiarach 3,4 x 2,1 mm i parametrach wyjściowych 200 V/0,35 A Omron Electronics Sp. z o.o. Przekaźnik MOSFET o wymiarach 3,4 x 2,1 mm i parametrach wyjściowych 200 V/0,35 A
Półprzewodnikowy wzmacniacz mocy w.cz. o paśmie 8...11 GHz i mocy wyjściowej do 55 dBm Półprzewodnikowy wzmacniacz mocy w.cz. o paśmie 8...11 GHz i mocy wyjściowej do 55 dBm
Miniaturowy konwerter DC-DC buck z wyjściem 0,8...3,3 V o wydajności prądowej 600 mA Miniaturowy konwerter DC-DC buck z wyjściem 0,8...3,3 V o wydajności prądowej 600 mA
Miniaturowy transil o pojemności 0,12 pF do ochrony szybkich linii sygnałowych Miniaturowy transil o pojemności 0,12 pF do ochrony szybkich linii sygnałowych
Niskoszumowy moduł tranzystorowy o małej rezystancji termicznej do zastosowań w falownikach Niskoszumowy moduł tranzystorowy o małej rezystancji termicznej do zastosowań w falownikach
Pierwsze na rynku pamięci Flash UFS z interfejsem MIPI M-PHY v5.0 Pierwsze na rynku pamięci Flash UFS z interfejsem MIPI M-PHY v5.0
Regulator LDO o wydajności prądowej 150 mA i prądzie spoczynkowym 0,6 µA Regulator LDO o wydajności prądowej 150 mA i prądzie spoczynkowym 0,6 µA
16-bitowe mikrokontrolery z przetwornikiem A/C do zastosowań w multimetrach 16-bitowe mikrokontrolery z przetwornikiem A/C do zastosowań w multimetrach
600-woltowy tranzystor MOSFET o współczynniku FOM równym 2,8 Ω*nC 600-woltowy tranzystor MOSFET o współczynniku FOM równym 2,8 Ω*nC
Półmostkowy sterownik tranzystorów MOSFET i IGBT o napięciu pracy do 600 V Półmostkowy sterownik tranzystorów MOSFET i IGBT o napięciu pracy do 600 V