Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Przełącznik SP4T na pasmo DC...6 GHz z wbudowanym sterownikiem pompy ładunkowej Przełącznik SP4T na pasmo DC...6 GHz z wbudowanym sterownikiem pompy ładunkowej
Pierwsza na rynku szeregowa pamięć F-RAM 2 Mb do pracy w przestrzeni kosmicznej Pierwsza na rynku szeregowa pamięć F-RAM 2 Mb do pracy w przestrzeni kosmicznej
Chipset do realizacji konwerterów LLC o dużej sprawności i małej liczbie komponentów Chipset do realizacji konwerterów LLC o dużej sprawności i małej liczbie komponentów
Układy obsługi kluczy kryptograficznych do nadajników ładowania bezprzewodowego Qi 1.3 Układy obsługi kluczy kryptograficznych do nadajników ładowania bezprzewodowego Qi 1.3
Nowe superzłączowe tranzystory MOSFET o napięciu przebicia 650 V Nowe superzłączowe tranzystory MOSFET o napięciu przebicia 650 V
Chipset do systemów komunikacyjnych na pasmo 5G NR FR2 Chipset do systemów komunikacyjnych na pasmo 5G NR FR2
Układ energy harvesting z rozszerzonymi funkcjami zarządzania mocą Układ energy harvesting z rozszerzonymi funkcjami zarządzania mocą
150-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji kanału 9 mΩ 150-woltowy tranzystor n-MOSFET o rezystancji kanału 9 mΩ
Płytki Mikroelektronika Click ze sterownikami silników krokowych firmy Toshiba Płytki Mikroelektronika Click ze sterownikami silników krokowych firmy Toshiba
Niskoprofilowy konwerter DC-DC step-down 72 W z przełączanymi pojemnościami Niskoprofilowy konwerter DC-DC step-down 72 W z przełączanymi pojemnościami
Miniaturowy 50-watowy konwerter DC-DC flyback z wewnętrznym tranzystorem GaN HEMT Miniaturowy 50-watowy konwerter DC-DC flyback z wewnętrznym tranzystorem GaN HEMT
Podwójny, precyzyjny wzmacniacz operacyjny o paśmie 20 MHz i małym napięciu offsetu Podwójny, precyzyjny wzmacniacz operacyjny o paśmie 20 MHz i małym napięciu offsetu
Programowalny bezpiecznik elektroniczny eFuse o zakresie programowania prądu od 1 do 5 A Programowalny bezpiecznik elektroniczny eFuse o zakresie programowania prądu od 1 do 5 A
Magnetorezystancyjny czujnik prędkości obrotowej i odległości do samochodowych aplikacji ADAS Magnetorezystancyjny czujnik prędkości obrotowej i odległości do samochodowych aplikacji ADAS
Quasi-rezonansowy kontroler PFC z wbudowanym przełącznikiem GaN 750 V Quasi-rezonansowy kontroler PFC z wbudowanym przełącznikiem GaN 750 V
150-woltowe tranzystory GaN HEMT o dopuszczalnym napięciu bramki 8 V 150-woltowe tranzystory GaN HEMT o dopuszczalnym napięciu bramki 8 V
60-woltowy n-kanałowy tranzystor MOSFET o rezystancji kanału 0,65 mΩ 60-woltowy n-kanałowy tranzystor MOSFET o rezystancji kanału 0,65 mΩ
Miniaturowe diody Zenera o maksymalnym prądzie wstecznym 50 µA Miniaturowe diody Zenera o maksymalnym prądzie wstecznym 50 µA
Przełączniki zasilania o poborze prądu 0,08 nA w stanie spoczynkowym Przełączniki zasilania o poborze prądu 0,08 nA w stanie spoczynkowym
Tranzystor SiC MOSFET o napięciu przebicia 3,3 kV i rezystancji RDS(on) równej 25 mΩ Tranzystor SiC MOSFET o napięciu przebicia 3,3 kV i rezystancji RDS(on) równej 25 mΩ
Małostratne tranzystory CoolSiC MOSFET 650 V o dużej niezawodności Małostratne tranzystory CoolSiC MOSFET 650 V o dużej niezawodności
750-woltowe tranzystory IGBT z kwalifikacją AEC-Q101 do falowników trakcyjnych 750-woltowe tranzystory IGBT z kwalifikacją AEC-Q101 do falowników trakcyjnych
Nowe, mniejsze sterowniki bramek EiceDRIVER 2EDN o szybszej reakcji zabezpieczenia UVLO Nowe, mniejsze sterowniki bramek EiceDRIVER 2EDN o szybszej reakcji zabezpieczenia UVLO
Matryce diodowe do ochrony przepięciowej szybkich linii danych Matryce diodowe do ochrony przepięciowej szybkich linii danych
Projekt referencyjny samochodowego systemu ładowania bezprzewodowego w standardzie WPC Qi 1.3 Projekt referencyjny samochodowego systemu ładowania bezprzewodowego w standardzie WPC Qi 1.3
Niskoszumowy regulator LDO o współczynniku PSRR równym 80 dB Niskoszumowy regulator LDO o współczynniku PSRR równym 80 dB
Konwerter DC-DC boost o wydajności prądowej 15 A w obudowie o powierzchni 3,0 x 2,5 mm Konwerter DC-DC boost o wydajności prądowej 15 A w obudowie o powierzchni 3,0 x 2,5 mm
Nowy układ SoC do samochodowych systemów ADAS i zautomatyzowanego kierowania Nowy układ SoC do samochodowych systemów ADAS i zautomatyzowanego kierowania
6-amperowy konwerter DC-DC buck z wbudowaną cewką w obudowie o wymiarach 4,0 x 3,5 x 1,4 mm 6-amperowy konwerter DC-DC buck z wbudowaną cewką w obudowie o wymiarach 4,0 x 3,5 x 1,4 mm
Podwójny wyłącznik elektroniczny o napięciu pracy do 65 V z zabezpieczeniem nadprądowym wyjść Podwójny wyłącznik elektroniczny o napięciu pracy do 65 V z zabezpieczeniem nadprądowym wyjść