Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły półprzewodnikowe

Kontrolery InnoSwitch4-CZ do zasilaczy o mocy znamionowej do 220 W zgodnych z USB PD 3.1 Kontrolery InnoSwitch4-CZ do zasilaczy o mocy znamionowej do 220 W zgodnych z USB PD 3.1
Energooszczędny wzmacniacz operacyjny o napięciu zasilania do 36 V z wyjściem rail-to-rail Energooszczędny wzmacniacz operacyjny o napięciu zasilania do 36 V z wyjściem rail-to-rail
Pierwszy jednordzeniowy MPU z interfejsem kamery MIPI CSI-2 i zaawansowanymi funkcjami audio Pierwszy jednordzeniowy MPU z interfejsem kamery MIPI CSI-2 i zaawansowanymi funkcjami audio
Energooszczędny redriver do interfejsów USB Type-C Super-Speed z obsługą trybu Modern Standby Energooszczędny redriver do interfejsów USB Type-C Super-Speed z obsługą trybu Modern Standby
50-woltowe sterowniki bramek tranzystorów MOSFET w obudowach o powierzchni 4 x 4 mm 50-woltowe sterowniki bramek tranzystorów MOSFET w obudowach o powierzchni 4 x 4 mm
Kontroler nadajnika do systemów ładowania indukcyjnego Qi v1.3.2 Kontroler nadajnika do systemów ładowania indukcyjnego Qi v1.3.2
Cyfrowy czujnik temperatury o dokładności ±0,2°C z interfejsem I²C Cyfrowy czujnik temperatury o dokładności ±0,2°C z interfejsem I²C
Dwukanałowe transile o pojemności wewnętrznej od 0,075 pF Dwukanałowe transile o pojemności wewnętrznej od 0,075 pF
Najmniejsze na rynku diody Schottky'ego o grubości 0,25 mm i powierzchni od 1,6 x 0,8 mm Najmniejsze na rynku diody Schottky'ego o grubości 0,25 mm i powierzchni od 1,6 x 0,8 mm
Miniaturowy 100-woltowy tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(on) równej 1,7 mΩ Miniaturowy 100-woltowy tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(on) równej 1,7 mΩ
Tranzystory MOSFET MDmesh o dużej gęstości mocy i małych stratach Tranzystory MOSFET MDmesh o dużej gęstości mocy i małych stratach
Ultraniskoszumowy regulator LDO o wydajności prądowej 1 A i napięciu wyjściowym 0...5,5 V Ultraniskoszumowy regulator LDO o wydajności prądowej 1 A i napięciu wyjściowym 0...5,5 V
Para precyzyjnych n-kanałowych tranzystorów MOSFET o zerowym napięciu progowym Vth Para precyzyjnych n-kanałowych tranzystorów MOSFET o zerowym napięciu progowym Vth
10-amperowy konwerter DC-DC buck o wymiarach 7,5 x 6,3 x 3,2 mm 10-amperowy konwerter DC-DC buck o wymiarach 7,5 x 6,3 x 3,2 mm
Mikrokontrolery Renesas RA z certyfikatem CAVP w zakresie obsługi algorytmów kryptograficznych Mikrokontrolery Renesas RA z certyfikatem CAVP w zakresie obsługi algorytmów kryptograficznych
Niskoszumowe konwertery DC-DC buck z układem kompensacji zewnętrznego filtra ferrytowego Niskoszumowe konwertery DC-DC buck z układem kompensacji zewnętrznego filtra ferrytowego
Superzłączowe tranzystory PrestoMOS 4. generacji z szybką diodą regeneracyjną Superzłączowe tranzystory PrestoMOS 4. generacji z szybką diodą regeneracyjną
Jednokanałowe przełączniki zasilania do układów o dużym prądzie rozruchowym Jednokanałowe przełączniki zasilania do układów o dużym prądzie rozruchowym
Energooszczędny zegar RTC w obudowie o wymiarach 1,66 x 1,26 x 0,4 mm Energooszczędny zegar RTC w obudowie o wymiarach 1,66 x 1,26 x 0,4 mm
Pierwszy na rynku 650-woltowy tranzystor MOSFET SiC w obudowie TOLL Pierwszy na rynku 650-woltowy tranzystor MOSFET SiC w obudowie TOLL
Ultraniskoszumowy regulator LDO o napięciu wyjściowym od 0,6 V do 4,0 V Ultraniskoszumowy regulator LDO o napięciu wyjściowym od 0,6 V do 4,0 V
Precyzyjne 1-watowe rezystory chipowe 39 Ω...900 kΩ o tolerancji od ±0,05% Precyzyjne 1-watowe rezystory chipowe 39 Ω...900 kΩ o tolerancji od ±0,05%
Kontroler PFC i kontroler quasi-rezonansowej przetwornicy zaporowej do systemów zasilania USB PD Kontroler PFC i kontroler quasi-rezonansowej przetwornicy zaporowej do systemów zasilania USB PD
24-bitowe przetworniki A/C SAR z technologią Easy Drive i elastycznym interfejsem Flexi-SPI 24-bitowe przetworniki A/C SAR z technologią Easy Drive i elastycznym interfejsem Flexi-SPI
Sterownik bramek tranzystorów IGBT/SiC z certyfikacją ASIL B Sterownik bramek tranzystorów IGBT/SiC z certyfikacją ASIL B
Przełączniki zasilania o prądzie wyjściowym 6 A z regulowanym czasem narastania Przełączniki zasilania o prądzie wyjściowym 6 A z regulowanym czasem narastania
Zabezpieczenia nadprądowe 12...22 A do akumulatorów litowo-jonowych Zabezpieczenia nadprądowe 12...22 A do akumulatorów litowo-jonowych
Przełącznik sygnałów w.cz. SP4T na pasmo pracy do 67 GHz Przełącznik sygnałów w.cz. SP4T na pasmo pracy do 67 GHz
Nowe rodziny 8-bitowych mikrokontrolerów PIC i AVR z inteligentnymi funkcjami peryferyjnymi Nowe rodziny 8-bitowych mikrokontrolerów PIC i AVR z inteligentnymi funkcjami peryferyjnymi
Mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M3 i wbudowanym sterownikiem silników AC i BLDC Mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M3 i wbudowanym sterownikiem silników AC i BLDC