Firmy z Chin zainwestują 18 miliardów juanów w rozwój 19 nm technologii DRAM
| Gospodarka ArtykułyChińskie firmy GigaDevice Semiconductor i Hefei RuiLi Integrated Circuit Manufacture (wcześniej Hefei ChangXin IC) będą współdziałać w zakresie opracowania 19-nanometrowej technologii procesowej układów DRAM. Chipy produkowane mają być na płytkach o średnicy 12 cali. Firmy chcą zainwestować w to rozwiązanie 18 miliardów juanów, czyli 2,71 mld dolarów. Zdaniem komentatorów branżowych inicjatywa ta daje początek nowemu stadium konkurencji na chińskim rynku DRAM.
Współpraca umożliwi obu firmom rywalizację w dziedzinie DRAM, NOR flash i 2D NAND z pozostałymi dwoma głównymi graczami w przemyśle DRAM w Chinach: Yangtze Memory Technology - firmą kontrolowaną przez Tsinghua Unigroup oraz Fujian Jinhua Integrated Circuit - firmą powiązaną z United Microelectronics (UMC) z Tajwanu. Wspólne działania oparte będą na pięcioletniej umowie podpisanej między Hefei Industry Investment Group (HIIG), która w całości jest właścicielem Hefei RuiLi IC, oraz pekińską spółką GigaDevice. Pierwsza z nich odpowiada za 80% inwestycji, a druga za 20.
Firmy GigaDevice i Hefei Ruili planują zakończyć prace rozwojowe i uruchomić 19-nanometrowy proces technologiczny z 90-procentowym wskaźnikiem wydajności do końca 2018 r.
źródło: DigiTimes
