Współpraca umożliwi obu firmom rywalizację w dziedzinie DRAM, NOR flash i 2D NAND z pozostałymi dwoma głównymi graczami w przemyśle DRAM w Chinach: Yangtze Memory Technology - firmą kontrolowaną przez Tsinghua Unigroup oraz Fujian Jinhua Integrated Circuit - firmą powiązaną z United Microelectronics (UMC) z Tajwanu. Wspólne działania oparte będą na pięcioletniej umowie podpisanej między Hefei Industry Investment Group (HIIG), która w całości jest właścicielem Hefei RuiLi IC, oraz pekińską spółką GigaDevice. Pierwsza z nich odpowiada za 80% inwestycji, a druga za 20.
Firmy GigaDevice i Hefei Ruili planują zakończyć prace rozwojowe i uruchomić 19-nanometrowy proces technologiczny z 90-procentowym wskaźnikiem wydajności do końca 2018 r.
źródło: DigiTimes
